信越化学量产用于300 mm GaN的QST衬底

2024年9月10日，日本半导体材料大厂信越化学宣布研制出一种用于GaN外延生长300 mm（12英寸）QST衬底，并开始发货样品。通过使用大直径衬底，可以降低GaN器件的制造成本。同时它还促进了高频器件、功率器件和LED等应用领域的发展，尤其是在数据中心/电源方面的潜在应用。  

GaN QST衬底介绍

Qromis衬底技术（QST）衬底是美国Qromis公司开发的专门用于GaN生长的复合材料衬底，信越化学于2019年获得许可。Qromis 创造的一项关键突破是工程化衬底，该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附有多层无机薄膜，顶部是一个二氧化硅键合层，允许单晶硅层作为外延GaN生长的成核层。这种技术使得可以在300 mm晶圆上实现高质量、无翘曲和无裂纹的GaN外延生长，从而显著降低了器件成本。

英飞凌宣布已成功开发出300mm GaN晶圆技术

2024年9月12日，德国半导体制造商英飞凌宣布已成功开发出全球首项300 mm GaN功率半导体晶圆技术。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，更是因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。300 mm GaN技术凭借与硅相似的制造工艺，可直接利用现有300 mm硅生产线，加速技术转化并优化资本利用。全面规模化后，GaN与硅在RDS(on)级别的成本将趋同，实现成本竞争力，推动科技产业新进展。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck进一步指出，2030年底，该市场的规模将达到数十亿美元。

300mm GaN产业发展趋势

GaN 器件制造商由于缺乏适合 GaN 生长的大直径衬底，因此无法从增加材料直径中受益，这一成就标志着GaN技术的一个重要里程碑，制造商可以减少设备投资，降低成本。随着信越化学、英飞凌等企业在300 mm GaN技术上的突破，我们坚信这种新型技术将在未来的电子设备中占据更加重要的位置，为用户带来更高效、更轻便的使用体验的同时，加速技术创新步伐，稳健推动产业向前发展。

来源：信越化学、未来芯研究、英飞凌官微

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