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应用领域

半导体照明
Semiconductor Lighting
半导体照明行业是GaN当前主流应用领域中发展最为迅速的，产业规模超百亿美元。半导体照明行业主要用到GaN-on-GaN、GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiC、GaN-on-Si 四种材料体系，分别对应不同的产品应用。其中Gan-on-GaN作为同质外延材料，避免了很多异质外延造成的缺陷问题，具有高稳定性能、高亮度、低功耗、长寿命、小尺寸等优点，主要应用于高端LED市场。
Lasers and Detectors
激光器和探测器
在激光器和探测器应用领域，GaN基激光器的频谱覆盖范围广，可实现蓝、绿、紫外激光器和紫外探测的制造。紫色激光器可用于制造数据存储盘空间比蓝光光盘高出20倍的大容量光盘，还可用于医疗消毒、紫外固化、荧光激励光源等。蓝色激光器可以和现有的红色激光器、倍频全固化绿色激光器一起，实现全真彩显示，进一步推进激光电视的应用。GaN基紫外探测器在抗干扰、抗恶劣环境、高灵敏度方面具有得天独厚的优势，可用于高速飞行物预警、核辐射监测、化学生物探测等领域。

GaN射频器件主要应用于通讯领域，GaN的频率特性好、瞬时带宽更高、速度更快、可以实现更高的功率密度。GaN材料耐高温、高压及承受更大电流的优势使得射频器件应用在5G基站中更加合适。除此之外还有降低功耗，节省电能，降低散热成本，降低总运行成本等优势。


在军用市场，GaN射频器件需求增长迅速。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si 和GaAs，具有作为射频器件的先天优势。GaN器件具有更高的击穿场强，可在高电压下工作，且高温条件下可靠性更好。GaN基射频器件在同样甚至更高的输出功率下具有更小体积，利于集成系统更好的适用于各种场合。目前，美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达（AMDR）已采用GaN 射频功放器件替代GaAs器件。

Radio Frequency Electronics
射频电子领域
功率器件
Power Device
基于GaN on GaN技术，GaN器件的工作电压可以大大提高，在600-1800V的工作范围内与SiC器件竞争。随着新能源汽车的发展，利用氮化镓可以将汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器做得更小更轻，从而有空间放入更多的锂电池，提升整车续航里程。GaN材料制备的功率器件拥有更高的功率输出密度和更高的能量转换效率，并可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子装置的体积和重量。