氮化镓（GaN）在车用场景的应用正不断拓展。凭借其优异的导电性能和高开关速度，GaN在车载充电器和激光雷达等汽车电子系统中展现出巨大潜力。英飞凌、EPC等半导体厂商已推出相关产品，利用GaN技术提升车载充电器的功率密度和充电速度，同时增强激光雷达的扫描速度和精度。这些创新应用不仅提高了汽车电子系统的效率和性能，还为自动驾驶汽车的安全性和可靠性提供了有力保障。随着技术不断进步和成本降低，GaN有望在车用领域实现更广泛的应用。

EPC：推出基于GaN的激光雷达，探索多领域应用

EPC公司已经开发了基于GaN的飞行时间（ToF）/激光雷达参考设计，这些设计利用了GaN场效应晶体管（GaN FETs），在激光雷达电路中提供了快速切换速度、更小的占地面积、高效率和卓越可靠性等优势。EPC公司可靠性副总裁张盛科表示，EPC的低压GaN器件能够覆盖所有48 V至12 V服务器电源转换器、激光雷达（LiDAR）以及与太空相关的应用需求。他们还在探索人形机器人和太阳能场景。EPC的LiDAR GaN器件也适用于汽车应用。在PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会上，EPC展示了一款人形机器人样品。该机器人中的一些关节组件很可能采用GaN技术。此外，EPC还带来了一辆无人驾驶电动小车，配备了采用EPC GaN功率器件的激光雷达组件。

赛米控丹佛斯：封装新技术将适用于GaN领域

据赛米控丹佛斯的中华区方案和系统销售总监&大中华区技术总监Norbert Pluschke介绍，赛米控丹佛斯作为碳化硅模块封装领先厂商之一，拥有两种专为碳化硅优化设计的封装形式：一是全桥功率模块eMPack®平台，拥有极低的杂散电感（2.5 nH），有助于实现碳化硅的高开关速度；二是为严苛的汽车牵引逆变器应用而开发的直接冷却注塑半桥模块DCM平台，这项技术也适用于未来GaN领域。

英飞凌&AWL-Electricity：建立合作关系

英飞凌科技股份公司近日宣布与AWL-Electricity建立合作关系。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。此次合作将英飞凌的先进GaN技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本，并提高产品的易用性。汽车行业利用该技术将车内体验和座椅动态性提升到一个新的水平；工业系统则利用该技术获得近乎无限的设计自由，包括自动导引车辆、机器人应用等。此外，由于该技术允许采用全密封系统设计，因此无需配备充电端口，减少了全球电池的使用量。

罗姆&台积电：加强GaN器件代工合作

10月8日，据日经新闻报道，罗姆宣布将在GaN功率半导体领域加强与台积电合作，拟借由水平分工、对抗海外竞争对手。报道称，在日前举行的“第85届应用物理学会秋季学术讲座”上，罗姆宣布将全面委托台积电代工生产GaN功率半导体器件，包括650 V耐压产品等。报道还指出，罗姆应此前就已委托台积电代工，但未曾对外公开过。罗姆将旗下的GaN产品命名为“EcoGaN™”，并正在不断扩大其产品阵容。在分立产品方面，罗姆在2022年开始量产150 V耐压的GaN HEMT，并于2023年开始量产650V耐压GaN HEMT，目前，650 V产品已被台达电子采用。

QPT：开发主驱GaN逆变器演示器

10月8日，据外媒报道，英国初创公司QPT宣布，他们最近获得了英国先进推进中心（APC）的VERDE项目资助，用于开发一款高频400V/60kW GaN逆变器演示样机，以证明GaN在汽车应用中优于SiC/Si。资料显示，QPT成立于2019年，位于英国剑桥。该项目旨在加速早期技术市场化，支持向零排放汽车的转变。项目合作伙伴RAM Innovations将为该GaN逆变器提供创新封装，以优化芯片散热能力。据RAM Innovations的首席执行官Peter Green透露，该项目将在2025年9月的英国UTAC Millbrook Cenex 博览会上展示样机；这项APC投资将至少提前两年将技术推向市场。

VisIC&贺利氏&PINK：开发车规级GaN功率模块

7月29日，据外媒报道，全球氮化镓领域的三家企业——以色列VisIC Technologies、德国的贺利氏和PINK三方签署了合作协议，将共同开发一种能够为电动汽车提供"前所未有的可靠性和性能"的GaN功率模块。据介绍，此次合作汇集了VisIC在基于GaN的器件方面的专长、贺利氏在先进封装材料方面的知识，以及PINK在烧结技术方面的最新技术，合作开发一种利用D3GaN技术的先进功率模块，该产品将基于硅氮化物陶瓷基板、银（Ag）烧结工艺和先进的顶侧互连技术打造而成。

Finwave&GF：开发8英寸GaN射频器件

8月30日，据外媒报道，Finwave Semiconductor与GlobalFoundries（GF）达成了技术开发和许可协议，合作将Finwave的GaN-on-Si技术与GF的射频创新和大规模生产能力相结合。这项合作旨在优化Finwave的增强型MISHEMT技术，并在GF位于佛蒙特州伯灵顿的8吋半导体制造工厂进行批量生产。据介绍，Finwave 8英寸GaN-on-Si E-mode MISHEMT平台在射频性能方面表现出色，能够在低电压下提供高增益和效率，同时确保晶圆的高均匀性。这项技术预计将在5G、6G、毫米波放大器和高功率Wi-Fi 7系统中提供高效率的功率放大器解决方案。此外，Finwave的技术得到了美国能源部ARPA-E的资金支持和私人投资，预计将在2026年上半年实现大规模生产。

欧洲航天局（ESA）：启动射频GaN项目

据外媒9月18日消息，欧洲航天局（ESA）宣布启动Magellan项目，目的是开发用于毫米波卫星通信的GaN晶体管和高功率放大器。这些技术将支持5G和6G网络的全球移动通信，需要在Ka、Q和W频段上进行更有效的卫星通信。Fraunhofer IAF研究所正在领导这个项目，开发基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMTs）和放大器电路，项目合作伙伴还包括United Monolithic Semiconductors GmbH（UMS）和TESAT-Spacecom GmbH & Co KG，他们将提供在卫星通信中应用这些技术的专业知识。Magellan项目由ESA的ARTES高级技术计划资助，计划从2024年持续到2027年，旨在建立一个从半导体开发到空间应用的欧洲价值链。
 
 
 

来源：行家三说半、集邦化合物半导体、PSD功率系统设计
 
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