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展会预告| 张雷教授解析氮化物“生长密码”!分享GaN、AlN 晶体研究新进展

来源: | 作者:晶镓半导体 | 发布时间:2025-08-19 | 64 次浏览 | 分享到:



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IPF·2025第三届功率器件制造测试与应用大会
智造未来·聚势共生 | 无锡 | 2025.8.21-22


第三届IPF2025功率器件制造测试与应用大会将于8月21-22日在无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店盛大启幕。大会聚焦功率半导体智能化转型与全产业链协同创新,特邀全球顶尖专家共话技术跃迁。

今日重磅推介演讲嘉宾——山东晶镓半导体 董事长/山东大学 张雷教授!


分论坛1:「功率半导体先进材料与晶圆“智”造」

演讲时段:2025年8月21日 17:00-17:30

报告课题:氮化物(GaN、AlN)晶体生长研究新进展

报告内容:突破大尺寸GaN/AlN晶体生长技术,HVPE法达国际先进水平,支撑新能源车/5G/智能电网等迫切需求。



敬请锁定8月21日分论坛1,共启技术变革!




嘉宾简介




张雷,山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师,《人工晶体学报》青年编委;山东省泰山学者青年专家、山东晶镓半导体有限公司董事长。主要从事宽禁带氮化物半导体(GaN、AlN)晶体生长及性能研究工作,氮化物半导体晶体研究方向负责人,先后主持了中央高校科技领军人才团队项目、国家自然科学基金等国家及省级项目20余项,在Adv. Mater.等期刊发表SCI论文80余篇,获授权专利30余项,其中4项实现成果转化。




演讲摘要




1.HVPE-GaN单晶衬底制备关键技术

2.PVT-AlN单晶衬底制备关键技术




大会信息




·时   间:2025年8月21-22日

·地   点:江苏无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店(江苏省无锡市飞凤路205号)

   展会帷幕即将拉开,诚邀您莅临A19展位

  无论您是寻求解决方案、探讨合作可能,还是对我们的产品技术充满好奇,我们的专业团队都将在现场恭候,为您提供一对一的详尽解答与量身定制的建议。期待在现场与您深入沟通,共襄盛举!