11 月 18 日，由科技部火炬中心等单位主办的第十四届中国创新创业大赛新材料全国赛在淄博落幕。山东晶镓半导体（以下简称 “晶镓”）携 “大尺寸高质量氮化镓单晶衬底研发” 项目斩获新材料组小组第三名及 “成长组优秀企业” 称号。

作为深耕第三代半导体领域的企业，晶镓自成立以来便聚焦氮化镓衬底 “卡脖子” 难题。依托与山东大学的技术协同优势，聚焦高质量大尺寸GaN单晶衬底制备及产业化，实现了低位错密度、低应力集中2英寸GaN单晶衬底批量生产，标志着我国在GaN单晶生长技术、多孔衬底制备技术、单晶衬底加工技术方面实现突破，打破国际市场对我国高端半导体材料行业垄断封锁，为我国第三代半导体产业发展提供核心关键材料支撑。

这份荣誉，是对晶镓秉持 “晶诚所至、镓国情怀” 深耕半导体领域的高度认可。作为山东本土企业，晶镓始终以这一理念为引领，将 “填补国产空白、强化产业链” 视为核心责任。未来将把荣誉化为动力，持续攻坚半导体关键技术，以更优质产品适配国家战略产业需求，为半导体行业高质量发展注入新活力！